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经济

光刻机,官宣了!

社长说 研讯社 2024年09月17日 19:20

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假期讨论最多的一个事件:9月9日,工信部发布了《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》,国产KrF氟化氪光刻机(照明波长248nm、分辨率110nm)以及ArF氟化氩光刻机(照明波长193nm、分辨率65nm)列于其中。


1. 关于事件发布时间,不是假期新发的,而是一周前发的,这是被踩得比较多的一点。但实际上,在A股市场,
经常有题材不是在消息出来的第一时间炒作,而是在市场“认知到这个事件重要的时候”开始炒作,比如最近的一波“华为海思”,发会早就预告了。增量信息时间是重要,但不是板块上涨的决定性因素,事件本身和市场的认知才是关键。


2. 这次的光刻机属于中端,在被纳入推广名单之后,将迅速开启全面国产替代。

光刻机按性能(光源波长和支持的工艺节点)分类:
一代-紫外光源UV光刻机:使用g线(436nm)和i线(365nm)光源,适用于较早期的集成电路制造。
二代-深紫外DUV光刻机:引入了KrF(248nm)和ArF(193nm)准分子激光光源,分辨率更高,支持更小的特征尺寸。
三代-浸没式DUV光刻机:在ArF光源的基础上,通过使用浸没液体(如水)来降低等效波长,提高分辨率,支持45nm及以下工艺节点。
四代-极紫外EUV光刻机:使用13.5nm波长的光源,能够实现更高的分辨率,支持7nm及以下工艺节点,是当前最先进的光刻技术。
五代-高数值孔径(High-NA)EUV光刻机:正在研发中,旨在通过提高光学系统的数值孔径(NA)来进一步提升分辨率和成像质量。

目前高端主要是指能一次曝光生产28nm以上芯片的光刻机,也就是三代、四代光刻机,生产7nm手机芯片就要用到这些光刻机,而这次进入目录的是二代光刻机,属于中端,尽管不能用来生产比如华为手机现在用的7nm芯片,但依然有较高的商业价值,二代光刻机依然占据超过一半的销量份额,并且这次的ArF光刻机能够支持更先进的工艺节点,通过多重曝光也能实现28nm。

另外最重要的是,进入推广目录就意味着国产链条已经完全打通,这一块的进口份额将迅速清零,完全实现全国产。

3. 信号意义重大,标志着国产先进光刻机进入落地阶段,提升了国产光刻机的预期。

首先,在此之前仍然有部分声音认为国内别说EUV了,连DUV光刻机都造不出来,现在推广目录的落地彻底打破“国内造不出光刻机”的刻板论调,这次的二代光刻机就是很好的开始,起步不低。

其次,国内核心项目通常都是公示一代、测试一代、预研一代,能公示二代,说明三代、四代都在规划研发中了,上周讨论的发明专利公示就是关于EUV(极紫外线)光刻机的光源的,也就是四代光刻机。

最后值得一提的是,上周刚刚解读过,近期光刻机外部事件比较多,尤其是荷兰跟进美国对光刻机出口施加进一步限制,这个时候发布推广目录可能也有其他的考虑,光刻机的国产替代更坚定了




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